東京大学の高木信一教授は東芝出身で、大学院時代から40年以上、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の研究一筋に歩んできた。かつては次世代半導体開発の国家計画「半導体MIRAIプロジェクト」のグループリーダーも務めた。 シリコンCMOSの微細化の限界が近づく中、ゲルマニウムなどの化合物半導体を使ったハイブリッドの3次元積層CMOSなどを手がける。1ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降で鍵となる相 …
東京大学の高木信一教授は東芝出身で、大学院時代から40年以上、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の研究一筋に歩んできた。かつては次世代半導体開発の国家計画「半導体MIRAIプロジェクト」のグループリーダーも務めた。 シリコンCMOSの微細化の限界が近づく中、ゲルマニウムなどの化合物半導体を使ったハイブリッドの3次元積層CMOSなどを手がける。1ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降で鍵となる相 …