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韓国SK hynixは29日(現地時間)、業界初となる第6世代10nm級のプロセスノード“1c”を採用した16Gb DDR5を開発したと発表。2025年に量産開始するとしている。 10nm級のDRAM製造は微細化を進めるとともに難易度が向上するとしているが、SK hynixは第5世代の“1b”で設計完成度を高め、技術的限界を克服、業界をリードしてきたという。1cでは10nmに近づくメモリ製造技術に …