名古屋大学(名大)は5月28日、窒素と水素ガスとプラズマを用いることで、GaN半導体生産の課題だった高品質化と低コスト化を実現できる新しい結晶成長法のラジカル支援有機金属化学気相成長法を開発したことを発表した。 これまで「窒化ガリウム」(GaN)半導体の結晶成長には、有毒なアンモニアを使用し、成長温度も1150℃以上とエネルギー消費が大きい有機金属化学気相成長法が利用されてきたが、それに代わる成長 …
名古屋大学(名大)は5月28日、窒素と水素ガスとプラズマを用いることで、GaN半導体生産の課題だった高品質化と低コスト化を実現できる新しい結晶成長法のラジカル支援有機金属化学気相成長法を開発したことを発表した。 これまで「窒化ガリウム」(GaN)半導体の結晶成長には、有毒なアンモニアを使用し、成長温度も1150℃以上とエネルギー消費が大きい有機金属化学気相成長法が利用されてきたが、それに代わる成長 …