電力効率は50%以上も向上、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍に STMicroelectronics(以下、ST)は2024年3月、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI(完全空乏型シリコンオンインシュレーター)と組み込み相変化メモリ(ePCM)技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。この技術を採用した「STM32マイ …
電力効率は50%以上も向上、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍に STMicroelectronics(以下、ST)は2024年3月、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI(完全空乏型シリコンオンインシュレーター)と組み込み相変化メモリ(ePCM)技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。この技術を採用した「STM32マイ …