NIMS、n型ダイヤモンドMOSFETを開発 「世界初」 (EE Times Japan)

電界効果電子移動度は300℃で約150cm2/V・秒を実現 物質・材料研究機構(NIMS)は2024年1月25日、「n型ダイヤモンドMOSFET」を開発したと発表した。「世界初」(NIMS)とする。電界効果移動度は、300℃において約150cm2/V・secを達成した。ダイヤモンドCMOS集積回路を実現することが可能になる。 ダイヤモンド半導体は、原理的に高温や高放射線被曝といった環境でも、高い絶 …