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韓国のサムスン電子は現地時間2月27日、12層のDRAMモジュールを積層した広帯域幅メモリー(HBM)「HBM3E 12H」を開発したと発表した。同社によると、HBM製品として最大の容量を実現するとともに、高い帯域幅を有しているという。 提供:Samsung 同社によると、その最大帯域幅は1280GB/秒、容量は36GB。8層の「HBM3 8H」に比べてそれぞれ50%以上向上しているという。 HB …