Samsung Electronicsは2月27日、業界初となる12層スタック技術によって容量36GBを実現したHBM3E DRAM「HBM3E 12H」を開発したと発表した。 36GB HBM3E DRAM「HBM3E 12H」のイメージ (出所:Samsung Electronics) 生成AI需要で高まるHBMの性能向上への期待 HBM3E 12Hは、36GBの容量と最大1280GB/秒(G …
Samsung Electronicsは2月27日、業界初となる12層スタック技術によって容量36GBを実現したHBM3E DRAM「HBM3E 12H」を開発したと発表した。 36GB HBM3E DRAM「HBM3E 12H」のイメージ (出所:Samsung Electronics) 生成AI需要で高まるHBMの性能向上への期待 HBM3E 12Hは、36GBの容量と最大1280GB/秒(G …