絶縁破壊電界強度は7.3MV/cm、Siの25倍、SiCやGaNの2倍 名古屋大学未来材料・システム研究所の須田淳教授や天野浩教授と旭化成による研究グループは2023年12月、窒化アルミニウム(AlN)系材料を用い、極めて良好な特性を示すpn接合を作製したと発表した。次世代の高周波デバイスやパワーデバイスに向けて、AlN系材料の応用が期待される。 ウルトラワイドバンドギャップ(UWBG)半導体は、 …
絶縁破壊電界強度は7.3MV/cm、Siの25倍、SiCやGaNの2倍 名古屋大学未来材料・システム研究所の須田淳教授や天野浩教授と旭化成による研究グループは2023年12月、窒化アルミニウム(AlN)系材料を用い、極めて良好な特性を示すpn接合を作製したと発表した。次世代の高周波デバイスやパワーデバイスに向けて、AlN系材料の応用が期待される。 ウルトラワイドバンドギャップ(UWBG)半導体は、 …