ロームは同社の650ボルト耐圧窒化ガリウム(GaN)パワー半導体デバイスが、台湾デルタ電子の45ワット出力ACアダプターに採用された。一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り組む。 ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) …
ロームは同社の650ボルト耐圧窒化ガリウム(GaN)パワー半導体デバイスが、台湾デルタ電子の45ワット出力ACアダプターに採用された。一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り組む。 ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) …