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STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、次世代の組み込みプロセッサの実現に向けて、18nm FD-SOI技術および組込み相変化メモリ(ePCM)をベースとした新たなプロセス技術を発表した。 同技術は、同社とSamsung Foundryが共同開発によるもので、従来のSTが活用してきた40nm組み込み不揮発性メモリ(eNVM)技術と比べて、 電力効率(性能対電力比)が …