物質・材料研究機構(NIMS)は1月25日、高品質単結晶n型ダイヤモンド半導体成長技術をベースに、n型チャネルダイヤモンドMOSFETを開発したことを発表した。 同成果は、NIMS 電子・光機能材料研究センター 機能材料分野 超ワイドギャップ半導体グループの廖梅勇主席研究員、同・Huanying Sun氏、同・小泉聡グループリーダーらの研究チームによるもの。詳細は、多様の分野の基礎から応用までを扱 …
物質・材料研究機構(NIMS)は1月25日、高品質単結晶n型ダイヤモンド半導体成長技術をベースに、n型チャネルダイヤモンドMOSFETを開発したことを発表した。 同成果は、NIMS 電子・光機能材料研究センター 機能材料分野 超ワイドギャップ半導体グループの廖梅勇主席研究員、同・Huanying Sun氏、同・小泉聡グループリーダーらの研究チームによるもの。詳細は、多様の分野の基礎から応用までを扱 …