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SK hynixは4月24日、AI半導体で活用されるHBMをはじめとする次世代DRAMへの需要に対応することを目的に、同社のNANDフラッシュメモリ量産拠点である韓国忠清北道清州市の清州工場に新たなDRAM生産拠点「M15X」(XはExtensionを意味)を建設することを発表した。 2024年4月末にも着工し、2025年11月に完成させ、早期の量産化を図るという。投資額はファブ建設に約5兆300 …