3D相互接続密度の継続的な増加により、内部インタフェースの保護が複雑になっている。半導体業界では、ロジック/メモリオンロジックタイプのスタッキングアプリケーションなどを対象に、各3D相互接続技術をより細分化した相互接続へと推し進めている。imecの研究者は最近、相互接続パッドピッチが2μmというダイ・ツー・ウェハのハイブリッドボンディングを実証した。ウェハ・ツー・ウェハのハイブリッドボンディングで …
3D相互接続密度の継続的な増加により、内部インタフェースの保護が複雑になっている。半導体業界では、ロジック/メモリオンロジックタイプのスタッキングアプリケーションなどを対象に、各3D相互接続技術をより細分化した相互接続へと推し進めている。imecの研究者は最近、相互接続パッドピッチが2μmというダイ・ツー・ウェハのハイブリッドボンディングを実証した。ウェハ・ツー・ウェハのハイブリッドボンディングで …