もっと詳しく

600℃までの処理温度で、窒化物強誘電体の特性劣化なし 東京工業大学とキヤノンアネルバ、高輝度光科学研究センターの研究グループは2024年7月、窒化物強誘電体であるスカンジウムアルミニウム窒化物「(Al,Sc)N」薄膜が、従来の強誘電体に比べ、熱/水素雰囲気下での耐久性に優れていることを確認したと発表した。強誘電体メモリの製造プロセスを簡素化でき、大幅なコスト削減が可能となる。 強誘電体を用いたメ …