オンセミ、チェコに最先端のSiC製造施設を設置 (EE Times Japan)

SiやSiCウエハーの製造能力をさらに強化 オンセミ(onsemi)は2024年6月、チェコに最先端のSiC(炭化ケイ素)製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル(440億チェココルナ)の投資を計画している。 出所:オンセミ SiCベースのパワー半導体は、高耐圧、高耐熱、高放熱といった特長を備え、EV(電気自動車)の性能向上などに貢献することから、急速に需 …