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ウェハとウェハを接合するハイブリッドボンディングは、複数の集積回路チップを高密度で相互接続して3D積層する「高密度3D IC」を実現するための技術である。 この技術の適用領域をメモリ・オン・ロジックスタッキングなどに拡張するためには、3D相互接続ピッチを現在の最先端である1μmよりもはるかに狭める必要がある。 imecは、前例のない400nmまでの配線ピッチにおけるCuおよびSiCN間のハイブリッ …