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作製したSBD、±5Vの電圧印加で約105の整流比 立命館大学と京都大学、物質・材料研究機構の研究チームは2024年1月、xを0.53付近に調整したルチル型(r-)GexSn1-xO2薄膜を、r-TiO2基板上に格子整合(格子整合エピタキシー)させることで、薄膜内の貫通転位密度を極めて小さくすることに成功したと発表した。この薄膜を用いたショットキーバリアダイオード(SBD)は、±5Vの電圧を印加し …