東京大学は2024年1月10日、1分という短時間の溶媒内超音波処理で、サブナノ厚(厚さが1nm未満)の2次元(2D)半導体の単層を選択的に単離することに成功したと発表した。同時に、不要なバルク結晶群を基板上から除去できるようになり、複雑なデバイス設計が可能となった。 超音波手法のイメージ[クリックで拡大] 出所:東京大学 MoS2(二硫化モリブデン)などの遷移金属カルコゲナイドは、2D半導体と呼ば …
東京大学は2024年1月10日、1分という短時間の溶媒内超音波処理で、サブナノ厚(厚さが1nm未満)の2次元(2D)半導体の単層を選択的に単離することに成功したと発表した。同時に、不要なバルク結晶群を基板上から除去できるようになり、複雑なデバイス設計が可能となった。 超音波手法のイメージ[クリックで拡大] 出所:東京大学 MoS2(二硫化モリブデン)などの遷移金属カルコゲナイドは、2D半導体と呼ば …