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クオルテックは2027年をめどに、超ワイドバンドギャップ半導体材料「二酸化ゲルマニウム(GeO2)」を使ったウエハーの量産を始める。同ウエハーは、長らく次世代パワー半導体と言われ、普及期に差し掛かっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったウエハーの“次”を担う候補の一つ。GeO2を材料とするパワー半導体はSiCに比べて高耐圧、高出力の領域で性能を発揮する可能性がある。 開発主体の …