ルネサス エレクトロニクスは2月21日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)のセンスアンプ回路のトリミング手法の工夫および寄生容量低減による高速読み出し技術とテスト工程やセットメーカでの書き込みの高速化技術を開発したことを発表した。併せて、22nmロジック混載MRAMプロセスで製造した10.8MビットMRAMメモリセルアレイを搭載したマイコンを試作し、ランダムアクセス周波数200 …
ルネサス エレクトロニクスは2月21日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)のセンスアンプ回路のトリミング手法の工夫および寄生容量低減による高速読み出し技術とテスト工程やセットメーカでの書き込みの高速化技術を開発したことを発表した。併せて、22nmロジック混載MRAMプロセスで製造した10.8MビットMRAMメモリセルアレイを搭載したマイコンを試作し、ランダムアクセス周波数200 …