イメージ[クリックで拡大] 出所:STMicroelectronics STMicroelectronics(以下、ST)は2024年3月19日(スイス時間)、組み込み型相変化メモリ(ePCM)を搭載した18nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)技術に基づく先進プロセスを、Samsung Foundryと共同開発したと発表した。既存技術と比べ大幅な性能向上や低消費電力化を実 …
イメージ[クリックで拡大] 出所:STMicroelectronics STMicroelectronics(以下、ST)は2024年3月19日(スイス時間)、組み込み型相変化メモリ(ePCM)を搭載した18nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)技術に基づく先進プロセスを、Samsung Foundryと共同開発したと発表した。既存技術と比べ大幅な性能向上や低消費電力化を実 …