ルネサス エレクトロニクスは2024年2月21日、半導体技術の国際会議である「ISSCC(International Solid-State Circuits Conference) 2024」(2024年2月18〜22日、米国サンフランシスコ)において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ、以下MRAM)の高速読み出し可能な技術と、書き換え …
ルネサス エレクトロニクスは2024年2月21日、半導体技術の国際会議である「ISSCC(International Solid-State Circuits Conference) 2024」(2024年2月18〜22日、米国サンフランシスコ)において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ、以下MRAM)の高速読み出し可能な技術と、書き換え …