Texas Instruments(TI)は6月19日、150W〜250Wのモータードライブアプリケーションに向けて、最大650Vに対応する3相 GaN FET内蔵のIPM(インテリジェント・パワー・モジュール)「DRV7308」を発表した。 同製品は同社初のGaN IPMとなり、6個のGaN FETとドライバ、コントローラ、センスアンプなどを12mm×12mmのQFN1パッケージに搭載することで …
Texas Instruments(TI)は6月19日、150W〜250Wのモータードライブアプリケーションに向けて、最大650Vに対応する3相 GaN FET内蔵のIPM(インテリジェント・パワー・モジュール)「DRV7308」を発表した。 同製品は同社初のGaN IPMとなり、6個のGaN FETとドライバ、コントローラ、センスアンプなどを12mm×12mmのQFN1パッケージに搭載することで …