Intelは18日(米国時間)、米オレゴン州ヒルズボロの研究開発施設にて、業界初となる商用高NA EUV(極端紫外線)リソグラフィスキャナの組み立てが完了したと発表した。納入されたASML製「TWINSCAN EXE:5000」は製品製造に向けて校正工程に入っているという。 高NA EUV装置(0.55NA EUV)では、既存のEUV装置(0.33NA EUV)と比べて解像度を最大1.7分の1に縮 …
Intelは18日(米国時間)、米オレゴン州ヒルズボロの研究開発施設にて、業界初となる商用高NA EUV(極端紫外線)リソグラフィスキャナの組み立てが完了したと発表した。納入されたASML製「TWINSCAN EXE:5000」は製品製造に向けて校正工程に入っているという。 高NA EUV装置(0.55NA EUV)では、既存のEUV装置(0.33NA EUV)と比べて解像度を最大1.7分の1に縮 …