東北大学は2024年1月11日、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)の極限微細化技術を確立したと発表した。 STT-MRAMは、電源を切っても情報が保持される不揮発性メモリの1種。AI(人工知能)やIoT(モノのインターネット)、車載など幅広い用途での利用が期待されている。 同研究では、STT-MRAMの記憶素子である磁気トンネル接合(MTJ)素子の構造を工夫した。これにより、MTJ …
東北大学は2024年1月11日、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)の極限微細化技術を確立したと発表した。 STT-MRAMは、電源を切っても情報が保持される不揮発性メモリの1種。AI(人工知能)やIoT(モノのインターネット)、車載など幅広い用途での利用が期待されている。 同研究では、STT-MRAMの記憶素子である磁気トンネル接合(MTJ)素子の構造を工夫した。これにより、MTJ …