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高性能デバイスとして注目が高まるGaNパワー半導体(GaN HEMT) 高性能デバイスとして注目が高まるGaNパワー半導体(GaN HEMT)。高耐圧・低損失であり、省エネ化や高効率化が期待できる上、従来のシリコン(Si)製の半導体では実現できなかった大電力を扱う用途に適しているため、GaN HEMTは電源業界のゲームチェンジャーになり得るものと期待されている。 MarketsandMarkets …