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「高温でのデータ保持」や「データの高速書き込み」に対応 東北大学電気通信研究所の五十嵐純太学術研究員(当時)、同大学材料科学高等研究所(WPI-AIMR)の陣内佛霖助教(当時)、深見俊輔教授および、大野英男教授(現総長)らによる研究グループは2024年1月、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)の記憶素子である磁気トンネル接合(MTJ)素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料 …