名古屋大学の隈部岳瑠大学院生らは、旭化成と共同で、窒化アルミニウムのpn接合デバイス(ダイオード)を作製し、理想的な電気特性を持たせることに成功した。窒化アルミはバンドギャップが非常に大きい「超ワイドバンドギャップ半導体」の有力な候補材料。窒化アルミの電子デバイス応用に向けた基盤技術となり、次世代パワーデバイスや高周波デバイスの材料として応用が見込める。 名大などの共同チームは、不純物を添加する従 …
名古屋大学の隈部岳瑠大学院生らは、旭化成と共同で、窒化アルミニウムのpn接合デバイス(ダイオード)を作製し、理想的な電気特性を持たせることに成功した。窒化アルミはバンドギャップが非常に大きい「超ワイドバンドギャップ半導体」の有力な候補材料。窒化アルミの電子デバイス応用に向けた基盤技術となり、次世代パワーデバイスや高周波デバイスの材料として応用が見込める。 名大などの共同チームは、不純物を添加する従 …