キヤノン、ASML独走に待った ナノインプリントの実力 (日本経済新聞)

数ナノメートル(ナノは10億分の1、nm)世代の最先端半導体には、オランダASMLの極端紫外線(EUV)露光装置が必須――。そんなASML独走の状況にキヤノンが待ったをかけた。長年、研究開発を続けてきたナノインプリントリソグラフィ(NIL)装置を実用化したのだ。2023年10月13日から同装置の販売を開始した。 キヤノンのNIL装置は5nm世代に必要な最小線幅14nmの回路パターンを描画できる。. …