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九州大学(九大)は1月12日、半導体デバイスやスピントロニクスデバイスの作製において一般的に用いられる成膜技術「オンアクシススパッタリング」では不可能と思われていた絶縁体の垂直磁化膜「ツリウム鉄ガーネット」(TmIG)の作製に成功したことを発表した。 オンアクシススパッタリングのイメージ。大きなカソードを用いることで、大面積薄膜の作製が可能な手法だ。これまで、TmIGには適さないとされてきたが、今 …