超高速、超省電力の次世代不揮発性メモリ材料として注目 東京大学大学院理学系研究科の朝倉海寛大学院生、肥後友也特任准教授、中辻知教授らによる研究グループは2024年5月、交換バイアスによりワイル反強磁性体「Mn3Sn」の磁気状態を室温で制御可能なことを発見したと発表した。反強磁性体を用いた超高速、超省電力の次世代メモリを開発するための重要な技術と位置付ける。 磁気抵抗メモリ(MRAM)は、電力を消費 …
超高速、超省電力の次世代不揮発性メモリ材料として注目 東京大学大学院理学系研究科の朝倉海寛大学院生、肥後友也特任准教授、中辻知教授らによる研究グループは2024年5月、交換バイアスによりワイル反強磁性体「Mn3Sn」の磁気状態を室温で制御可能なことを発見したと発表した。反強磁性体を用いた超高速、超省電力の次世代メモリを開発するための重要な技術と位置付ける。 磁気抵抗メモリ(MRAM)は、電力を消費 …