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東京大学 生産技術研究所(東大生研)は2月13日、テラヘルツ(THz)帯域に共鳴周波数を持つ半導体基板上に作製した「スプリットリング共振器」と、GaAs半導体量子ドット(QD)中に閉じ込めた電子を強く相互作用させ、光と電子の両方の性質を持つハイブリッドな量子結合状態を生成することに成功したと発表した。 同成果は、東大生研の黒山和幸助教、同 平川一彦 教授(東大 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 …