もっと詳しく

東京大学(東大)は3月13日、鉄と酸化マグネシウム(MgO)の2層構造からなる電極を持つホウ素(B)を添加した半導体ゲルマニウム(Ge)の20nmのチャネル長を有する二端子デバイスにおいて、磁場で制御可能な「抵抗スイッチ(RS)効果」を観測。「巨大磁気抵抗スイッチ(CMRS)効果」と命名し、これにより抵抗変化率が2万5000%におよぶ大きな抵抗変化を磁場で実現したと発表した。 同成果は、東大大学院 …