シリコン膜表面をわずかに酸化させ、熱放射を倍増 (EE Times Japan)

表面フォノンポラリトンをシリコンの導波モードと結合 東京大学の研究グループは2024年5月、シリコン膜の表面をわずかに酸化させるだけで、シリコン膜からの熱放射を倍増させることに成功したと発表した。半導体デバイスにおける放熱、排熱対策として期待される。 高性能半導体デバイスを搭載する電子機器では、局所的な発熱による性能や信頼性の低下を防ぐため、熱の管理が重要な課題となっている。熱の伝わり方として一般 …