旭化成は6月12日、同社子会社である米Crystal ISが開発・製造している4インチ(100mm)AlN(窒化アルミニウム)単結晶ウェハの品質が高まってきたことを踏まえ、国内外の半導体デバイスメーカーに向けて、2024年度下期よりサンプルの提供を開始することを発表した。 AlNはSiCやGaNと同じワイドバンドギャップ半導体として知られ、次世代パワーデバイスなどへの活用が期待されているが、その製 …
旭化成は6月12日、同社子会社である米Crystal ISが開発・製造している4インチ(100mm)AlN(窒化アルミニウム)単結晶ウェハの品質が高まってきたことを踏まえ、国内外の半導体デバイスメーカーに向けて、2024年度下期よりサンプルの提供を開始することを発表した。 AlNはSiCやGaNと同じワイドバンドギャップ半導体として知られ、次世代パワーデバイスなどへの活用が期待されているが、その製 …