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大阪大学(阪大)は6月10日、励起させると発光するGaNの発光量や発光効率は、炭素不純物の含有量のわずかな違いによって変化するが、炭素を含む割合が2.5億分の1以下になると、従来のGaN結晶とは異なり、その光りにくさの主要因が炭素から原子空孔に切り替わることを明らかにしたと発表した。 同成果は、阪大大学院 工学研究科の佐野昂志大学院生、同・市川修平准教授、同・小島一信教授、住友化学の藤倉序章氏、同 …