STマイクロエレクトロニクスは2024年3月19日、18nm FD-SOI(完全空乏型シリコンオンインシュレーター)技術と組み込み相変化メモリ(ePCM)をベースにしたプロセス技術を発表した。 18nm FD-SOIおよびePCM技術を用いた「STM32」マイクロコントローラー[クリックで拡大] 出所:STマイクロエレクトロニクス 18nm FD-SOIおよびePCM技術は、STマイクロエレクトロ …
STマイクロエレクトロニクスは2024年3月19日、18nm FD-SOI(完全空乏型シリコンオンインシュレーター)技術と組み込み相変化メモリ(ePCM)をベースにしたプロセス技術を発表した。 18nm FD-SOIおよびePCM技術を用いた「STM32」マイクロコントローラー[クリックで拡大] 出所:STマイクロエレクトロニクス 18nm FD-SOIおよびePCM技術は、STマイクロエレクトロ …