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旭化成は2023年12月14日、窒化アルミニウム(AlN)系材料を用いた半導体デバイスにおいて、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功したと発表した。名古屋大学との共同研究による成果だ。 AlN系ウルトラワイドバンドギャップ(UWBG)は、次世代の高周波デバイスやパワーデバイス材料として注目されている。UWBG半導体は、従来のシリコン(Si)やガリウムヒ素(GaAs)の5倍以上の禁制帯幅(バンドギ …