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キオクシアは2030〜31年をめどに、メモリーセルの積層数が1000層を超えるNAND型フラッシュメモリーを量産化する。現行の第8世代は218層の1テラ(T)ビット品で、積層数を増やした新世代品を約1年半おきに投入する。 チップ面積当たりのビット密度を高める狙いだが、積層数が増えると製造プロセスの難易度は高まりコスト増の要因ともなる。いかに製造コストを抑えつつ積層数を増やすか、その戦略が韓国サム. …