低次元超伝導体でSiCとの界面に「カルシウム金属層」 (EE Times Japan)

金属層によって生じる「ファン・ホーベ特異性」が転移温度上昇に寄与 東京工業大学と分子科学研究所の研究グループは2024年6月、低次元超伝導体であるグラフェン−カルシウム化合物において、支持基板であるSiC(炭化ケイ素)との界面にカルシウム金属層が形成されることを発見したと発表した。金属層の影響で超伝導転移温度が上昇するため、温度耐性に優れた量子コンピュータを実現できるとみている。 東京大学と東北大 …