東京大学は2024年5月28日、室温かつゼロ磁場の条件下で異常ネルンスト効果を発揮する薄膜を、鉄(Fe)とスズ(Sn)から作製したと発表した。異常ネルンスト効果は温度勾配と磁化に直交方向に現れる横型熱電効果で、大面積でフレキシブルなデバイス構造を低コストで作製できる。 研究では、成膜技術の1つであるスパッタリング法を用いて、カゴメ面が膜面内にそろったトポロジカルバンド構造のFe3Snエピタキシャル …
東京大学は2024年5月28日、室温かつゼロ磁場の条件下で異常ネルンスト効果を発揮する薄膜を、鉄(Fe)とスズ(Sn)から作製したと発表した。異常ネルンスト効果は温度勾配と磁化に直交方向に現れる横型熱電効果で、大面積でフレキシブルなデバイス構造を低コストで作製できる。 研究では、成膜技術の1つであるスパッタリング法を用いて、カゴメ面が膜面内にそろったトポロジカルバンド構造のFe3Snエピタキシャル …