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STマイクロエレクトロニクスは2023年12月、GaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ)とゲートドライバーを搭載したSiP(システムインパッケージ)「MasterGaN1L」「MasterGaN4L」を発表した。既に量産を開始していて、単価はMasterGaN1Lが約4.40米ドル(約630円)、MasterGaN4Lが約3.78米ドル(約540円)だ。 GaN HEMT採用S …