10nm以下の線幅で半導体微細加工ができる高分子ブロック共重合体を開発 (MONOist)

東京工業大学は2024年8月22日、東京応化工業との共同研究で、10nm以下の線幅で半導体微細加工ができる高分子ブロック共重合体の開発に成功したと発表した。ポリスチレン(PS)とポリメタクリル酸メチル(PMMA)から成るブロック共重合体(PS-b-PMMA)で、シリコン基板上に塗布した薄膜中に線状構造を形成し、半導体基板に回路パターンを描画する鋳型を作製できる。 ブロック共重合体をボトムアップ材料 …