キャパシターが不要な次世代2T0Cメモリへの応用に期待 東京工業大学国際先駆研究機構元素戦略MDX研究センターの辻昌武特任助教とShi Yuhao(施宇豪)大学院生、細野秀雄特命教授らによる研究チームは2024年4月、水素と触媒反応を利用し、金属と半導体界面の接触抵抗を従来に比べ約3桁も低減させた「アモルファス酸化物半導体(IGZO:InGaZnOx)トランジスタ」(IGZO-TFT)の開発に成功 …
キャパシターが不要な次世代2T0Cメモリへの応用に期待 東京工業大学国際先駆研究機構元素戦略MDX研究センターの辻昌武特任助教とShi Yuhao(施宇豪)大学院生、細野秀雄特命教授らによる研究チームは2024年4月、水素と触媒反応を利用し、金属と半導体界面の接触抵抗を従来に比べ約3桁も低減させた「アモルファス酸化物半導体(IGZO:InGaZnOx)トランジスタ」(IGZO-TFT)の開発に成功 …