東京工業大学は2024年7月22日、窒化物強誘電体のスカンジウムアルミニウム窒化物((Al,Sc)N)の薄膜が、600℃までの水素含有ガス中の熱処理後も強誘電性が劣化しないことを発見したと発表した。キヤノンアネルバ、高輝度光科学研究センターとの共同研究による成果だ。 半導体の製造プロセスでは、水素含有ガスの雰囲気での熱処理が不可欠だ。しかしその際に材料が劣化するため、それを防ぐ保護膜の作製が必要と …
東京工業大学は2024年7月22日、窒化物強誘電体のスカンジウムアルミニウム窒化物((Al,Sc)N)の薄膜が、600℃までの水素含有ガス中の熱処理後も強誘電性が劣化しないことを発見したと発表した。キヤノンアネルバ、高輝度光科学研究センターとの共同研究による成果だ。 半導体の製造プロセスでは、水素含有ガスの雰囲気での熱処理が不可欠だ。しかしその際に材料が劣化するため、それを防ぐ保護膜の作製が必要と …