「GaInN下地層による発光特性改善」や「発光径5μmの素子採用」も 名城大学理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授と上山智教授、岩谷素顕教授および、産業技術総合研究所先端半導体研究センターの亀井利浩研究主幹らによる研究グループは2024年4月、発振波長420nmのGaN(窒化ガリウム)面発光レーザーにおいて、膜厚制御の精度を従来に比べ約一桁高めることにより、20%を超える電力変換効率(WPE)を実 …
「GaInN下地層による発光特性改善」や「発光径5μmの素子採用」も 名城大学理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授と上山智教授、岩谷素顕教授および、産業技術総合研究所先端半導体研究センターの亀井利浩研究主幹らによる研究グループは2024年4月、発振波長420nmのGaN(窒化ガリウム)面発光レーザーにおいて、膜厚制御の精度を従来に比べ約一桁高めることにより、20%を超える電力変換効率(WPE)を実 …