東京大学、味の素ファインテクノ、三菱電機、スペクトロニクスの研究グループは、半導体の層間絶縁膜に直径3マイクロメートルの穴を空けることに成功した。現在、半導体の層間配線では、絶縁膜に直径40マイクロメートルほどの穴を空けているが、実用化されているレーザー加工技術では小径化が困難と考えられていた。 東京大学、味の素ファインテクノ、三菱電機、スペクトロニクスの研究グループは、半導体の層間絶縁膜に直径3 …
東京大学、味の素ファインテクノ、三菱電機、スペクトロニクスの研究グループは、半導体の層間絶縁膜に直径3マイクロメートルの穴を空けることに成功した。現在、半導体の層間配線では、絶縁膜に直径40マイクロメートルほどの穴を空けているが、実用化されているレーザー加工技術では小径化が困難と考えられていた。 東京大学、味の素ファインテクノ、三菱電機、スペクトロニクスの研究グループは、半導体の層間絶縁膜に直径3 …