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エネ消費分析に活用 筑波大学の都倉康弘教授らの研究グループは、コンピューターが計算を実行する際の、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)NANDゲートにおける計算過程と熱力学的性質の関係を解明した。計算機の稼働時のエネルギー消費についての理解などにつながる。 日本物理学会発行の英文誌JPSJ12月号に掲載された。 都倉教授らはCMOSトランジスタの「サブスレッショルド領域」で動作するNANDゲートに焦 …