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1.2kV級のSBD内蔵MOSFETを試作、オン抵抗は2.0mΩcm2 東芝デバイス&ストレージ(東芝D&S)は2024年6月3日、高い信頼性と短絡耐久性を維持しながら、低オン抵抗を実現した「SBD内蔵SiC(炭化ケイ素)MOSFET」を開発したと発表した。深さの異なるバリア構造を導入することで実現した。 SiCを用いたパワー半導体は、シリコンベースのパワー半導体に比べ、高耐圧で高速スイッチングに …