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東京大学の立川冴子大学院生(研究当時、現産業技術総合研究所研究員)、同大生産技術研究所の野村政宏教授らの研究グループは、シリコン膜の表面をわずかに酸化させるだけで「プランクの熱放射則」で決まるとされていた熱放射を倍増させた。半導体デバイスの排熱問題の解決などに役立つと期待される。 研究グループは、シリコン膜の表面を酸化させ、酸化膜界面の格子振動により、表面フォノンポラリトンという光と格子振動の連成 …